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  • Über uns

    Elektronik Hersteller

    Runau Electronics Manufacturing Co., Ltd. ist ein führender Hersteller von Leistungshalbleiterbauelementen in China. Seit fast 30 Jahren verfügt Runau über das Know-how, um die innovativsten Lösungen für die zuverlässige Leistung von Leistungselektronikgeräten bereitzustellen. Bei Bedarf arbeiten unsere Techniker, Ingenieure, das Produktionsteam und die Vertriebsmitarbeiter eng mit unseren Kunden zusammen, um die hohe Qualität, Verfügbarkeit und energetische Leistung ihrer elektrischen Anlagen sicherzustellen.

    PRODUKTE

  • CHIP

    CHIP

    Hoher Qualitätsstandard
    Hervorragende Konsistenzparameter
    Thyristor-Chip: 25,4 mm - 99 mm
    Gleichrichterchip: 17 mm - 99 mm

  • THYRISTOR

    THYRISTOR

    Phasenregel-Thyristor
    Nennleistung 100-5580A 100-8500V
    Schnellschalter-Thyristor
    Nennleistung 100-5000A 100-5000V

  • PRESS-PACK IGBT (IEGT)

    PRESS-PACK IGBT (IEGT)

    Hohe Leistungskapazität
    Einfache Serie verbunden
    Guter Anti-Schock
    Hervorragende Wärmeleistung

  • POWER ASSEMBLIES

    STROMVERSAMMLUNGEN

    Erregung durch rotierenden Gleichrichter
    Hochspannungsstapel
    Gleichrichterbrücke
    Wechselstromschalter

  • RECTIFIER DIODE

    GLEICHRICHTERDIODE

    Standarddiode
    Schnelle Diode
    Schweißdiode
    Rotierende Diode

  • HEATSINK

    KÜHLKÖRPER

    Luftkühlung der SF-Serie
    Wasserkühlung der SS-Serie

  • power module series

    Leistungsmodul-Serie

    Internationales Standardpaket
    Struktur komprimieren
    Hervorragende Temperatureigenschaften
    Einfache Installation und Wartung

  • ANFRAGE

    FUNKTIONSPRODUKTE

  • Thyristor-Chip

    • Jeder Chip wird bei TJM getestet. Eine stichprobenartige Prüfung ist strengstens untersagt.
    • Hervorragende Konsistenz der Chipparameter
    • Geringer Spannungsabfall im eingeschalteten Zustand
    • Starke thermische Ermüdungsbeständigkeit
    • Die Dicke der Kathodenaluminiumschicht liegt über 10 µm
    • Doppelschichtschutz auf Mesa
    Thyristor Chip
  • Thyristor mit hohem Standard

    • Höherer Produktionsstandard angewendet
    • Extrem niedriger Spannungsabfall im eingeschalteten Zustand
    • Geeignet für Reihen- oder Parallelschaltung mit angepassten Qrr- und VT-Werten
    • Bessere Leistung als Allzweck-Thyristor mit Phasenregelung
    • Speziell für Stromnetze und höhere Anforderungen konzipiert
    • Produktqualität ist ein normaler militärischer Zweck
    High Standard Thyristor
  • Free Floating Phase Control Thyristor

    • Freischwebende Siliziumtechnologie
    • Geringer Spannungsabfall im eingeschalteten Zustand und Schaltverluste
    • Optimale Belastbarkeit
    • Verteiltes Verstärkungsgatter
    • Traktion und Getriebe
    • HGÜ-Übertragung / SVC / Hochstromversorgung
    Free Floating Phase Control Thyristor
  • Hochstandard-Schnellschalter-Thyristor

    • Neu gestaltete Vergrößerungstorstruktur
    • Planarer Produktionsprozess
    • Rutheniumbeschichtete Molybdänscheibe
    • Geringer Schaltverlust
    • Hohe Di / Dt-Leistung
    • Geeignet für Wechselrichter, DC-Chopper, USV und Impulsleistung
    • Speziell für Stromnetze und höhere Anforderungen konzipiert
    • Produktqualität ist ein normaler militärischer Zweck
    High Standard Fast Switch Thyristor
  • GTO Gate-Ausschaltthyristor

    Die GTO-Fertigungstechnologie wurde in den 1990er Jahren von UK Marconi in Runau eingeführt. Die Teile wurden mit zuverlässiger Leistung an globale Benutzer geliefert und sind in folgenden Funktionen enthalten:
    • Das positive oder negative Impulssignal löst das Ein- oder Ausschalten des Geräts aus.
    • Wird hauptsächlich für Hochleistungsanwendungen außerhalb des Megawatt-Niveaus verwendet.
    • Hohe Spannungsfestigkeit, hoher Strom, starker Stoßwiderstand
    • Wechselrichter des elektrischen Zuges
    • Dynamische Blindleistungskompensation des Stromnetzes
    • Hochleistungsregelung der DC-Chopper-Geschwindigkeit
    GTO Gate Turn-Off Thyristor
  • Schweißdiode

    • Hohe Durchlassstromfähigkeit
    • Extrem niedriger Durchlassspannungsabfall
    • Sehr geringer Wärmewiderstand
    • Hohe Betriebssicherheit
    • Geeignet für Zwischen- oder Hochfrequenz
    • Gleichrichter des Wechselrichter-Widerstandsschweißgeräts
    Welding Diode
  • Hochleistungsmodul

    • Hochwertiger Herstellungsstandard, internationales Markenmodulgehäuse
    • Entwickelt für Benutzer mit höheren Leistungsanforderungen
    • Elektrische Isolierung zwischen Chip und Grundplatte
    • Internationales Standardpaket
    • Struktur komprimieren
    • Hervorragende Temperatureigenschaften und Leistungsfähigkeit
    High standard Power Module
  • locomotive high power rectifier 4500V 2800V
    high voltage phase controlled thyristor for soft start
    welding diode
    high power phase controlled thyristor fast switch thyristor for induction heating melting furnace
  • Thyristorgleichrichter GTO für Elektrozug

    Die von Runau Electronics gelieferte Hochleistungsgleichrichterdiode und der Thyristor bilden die Brückengleichrichterschaltung, die die reibungslose Spannungsregelung zwischen den Stufen realisieren kann. Sicher und zuverlässig. 2200 V 2800 V 4400 V.
    thyristor rectifier GTO for Electric Train
  • Weicher Start

    Der Runau-Thyristor bietet einen geringeren leitenden Spannungsabfall, eine stärkere Überstromfähigkeit, eine höhere Schlag- und Spannungsbeständigkeit mit der kostengünstigsten Lösung und bietet die vollständige Zufriedenheit einer umfassenden Anwendung mit weichem Starter.
    Soft Start
  • Schweißgerät

    Schweißdiode, auch als Ultrahochstrom-FRD-Diode bekannt, mit hoher Stromdichte, sehr niedriger Einschaltspannung und sehr geringem Wärmewiderstand, niedriger Schwellenspannung, geringem Steigungswiderstand und hoher Sperrschichttemperatur. Runau-Schweißdioden IFAV reichen von 7100A bis 18000A, die in Widerstandsschweißgeräten mit einer Frequenz von 1 kHz bis 5 kHz weit verbreitet sind.
    Welding Machine
  • Induktionsheizung

    Phasengesteuerter Thyristor und Thyristor mit schnellem Schalter werden in einem Verfahren mit hohem Standard hergestellt. Der Chip verfügt über eine diffuse Struktur, ein optimiertes verteiltes Gate-Design, eine hervorragende dynamische Leistung, eine schnelle Schaltleistung, einen geringen Schaltverlust und ist hervorragend für Induktionsheizanwendungen geeignet.
    Induction Heating
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